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DSB5712、JAN1N5712UR-1、1N5712对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSB5712 JAN1N5712UR-1 1N5712

描述 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES肖特基势垒二极管无铅封装用于表面安装 SCHOTTKY BARRIER DIODES LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-204AH DO-213AA DO-204AH

正向电压 1V @35mA 1 V 1V @35mA

正向电压(Max) 1V @35mA - 1V @35mA

正向电流(Max) 0.075 A 0.075 A 0.075 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

正向电流 - 75 mA -

封装 DO-204AH DO-213AA DO-204AH

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Bag Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -