JAN1N5712UR-1
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN1N5712UR-1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1 V
正向电流 75 mA
正向电流Max 0.075 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-213AA
外形尺寸
封装 DO-213AA
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JAN1N5712UR-1引脚图与封装图
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在线购买JAN1N5712UR-1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN1N5712UR-1 | Microsemi 美高森美 | 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES | 搜索库存 |
替代型号JAN1N5712UR-1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN1N5712UR-1 品牌： Microsemi 美高森美 封装： DO-213AA | 当前型号 | 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES | 当前型号 |
| 型号： 1N5712-1 品牌： 美高森美 封装： DO-35 | 完全替代 | 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES | JAN1N5712UR-1和1N5712-1的区别 |
| 型号： JANTX1N5712UR-1 品牌： 美高森美 封装： DO-213AA | 类似代替 | 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES | JAN1N5712UR-1和JANTX1N5712UR-1的区别 |
| 型号： DSB5712 品牌： 美高森美 封装： DO-204AH | 功能相似 | 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODES | JAN1N5712UR-1和DSB5712的区别 |