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PMBFJ174,215、PMBFJ177、J174,126对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMBFJ174,215 PMBFJ177 J174,126

描述 NXP  PMBFJ174,215  晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFETMOS(场效应管)/PMBFJ177Trans JFET P-CH 30V 135mA Si 3Pin SPT Ammo

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 TO-226-3

长度 3 mm - 4.8 mm

宽度 1.4 mm - 4.2 mm

高度 1 mm - 5.2 mm

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

击穿电压 30.0 V - -

漏源极电阻 85 Ω - 85 Ω

极性 P-Channel - -

耗散功率 300 mW - 300 mW

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

漏源击穿电压 30 V - 30 V

栅源击穿电压 30 V - 30 V

击穿电压 30 V - 30 V

输入电容(Ciss) 8pF @10V(Vgs) - 8pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 300 mW - 400 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 300 mW - -

工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)