J174,126
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
J174,126中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 85 Ω
耗散功率 300 mW
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 30 V
击穿电压 30 V
输入电容Ciss 8pF @10VVgs
额定功率Max 400 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.8 mm
宽度 4.2 mm
高度 5.2 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
J174,126引脚图与封装图
暂无图片
替代型号J174,126
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： J174,126 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-226-3 | 当前型号 | Trans JFET P-CH 30V 135mA Si 3Pin SPT Ammo | 当前型号 |
| 型号： PMBFJ174,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 P-Channel 300mW | 功能相似 | NXP PMBFJ174,215 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 20 mA, 135 mA, 10 V, SOT-23, JFET | J174,126和PMBFJ174,215的区别 |