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LF353M、LF353MX、LF353D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LF353M LF353MX LF353D

描述 LF353宽带双路JFET输入运算放大器 LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational AmplifierLF353宽带双路JFET输入运算放大器 LF353 Wide Bandwidth Dual JFET Input Operational AmplifierJFET 输入运算放大器,LF347 - LF444 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 3.6 mA 3.6 mA 3.6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

耗散功率 - - 500 mW

共模抑制比 70dB ~ 100dB - 70 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K 10.0 µV/K 10.0 µV/K

带宽 4 MHz - 3 MHz

转换速率 13.0 V/μs 13.0 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 4 MHz 4 MHz 3 MHz

输入补偿电压 5 mV 5 mV 5 mV

输入偏置电流 50 pA 50 pA 50 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

增益带宽 4 MHz 4 MHz 3 MHz

耗散功率(Max) - - 500 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 10V ~ 36V - 3.5V ~ 18V

输出电流 20.0 mA 20.0 mA -

电源电压(DC) 15.0 V - -

电源电压(Max) 36 V - -

电源电压(Min) 10 V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.91 mm

高度 1.45 mm - 1.58 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99