TD62002AP、ULN2003A、ULN2001A对比区别

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型号 TD62002AP ULN2003A ULN2001A

描述 PDIP NPN 50V 0.5ASTMICROELECTRONICS  ULN2003A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIPSTMICROELECTRONICS  ULN2001A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 PDIP DIP-16 DIP-16

引脚数 - 16 16

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出接口数 - 7 -

输出电压 - ≤50.0 V 50 V

通道数 - 7 7

针脚数 - 16 16

耗散功率 - 2.25 W -

输入电容 - 15.0 pF -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V 1000 @350mA, 2V

输出电流(Max) - 500 mA -

直流电流增益(hFE) - 1000 1000

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

输出电流 - - 500 mA

输入电压 - - 30 V

封装 PDIP DIP-16 DIP-16

长度 - 20 mm 19.69 mm

宽度 - 7.1 mm 7.11 mm

高度 - 5.1 mm 4.95 mm

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99 EAR99