TD62002AP
数据手册.pdf
Toshiba
东芝
电子元器件分类
TD62002AP中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.5A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 PDIP
外形尺寸
封装 PDIP
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
TD62002AP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买TD62002AP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TD62002AP | Toshiba 东芝 | PDIP NPN 50V 0.5A | 搜索库存 |
替代型号TD62002AP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TD62002AP 品牌： Toshiba 东芝 封装： | 当前型号 | PDIP NPN 50V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： ULN2003APG 品牌： 东芝 封装： | 类似代替 | Toshiba### Darlington 晶体管驱动器，执行器外围设备驱动器 | TD62002AP和ULN2003APG的区别 |
| 型号： MC1413BDR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC NPN 50V 500mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G 晶体管阵列 | TD62002AP和MC1413BDR2G的区别 |
| 型号： ULN2003A 品牌： 意法半导体 封装： DIP NPN 50V 500mA | 功能相似 | STMICROELECTRONICS ULN2003A 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, DIP | TD62002AP和ULN2003A的区别 |