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BD237、BD237STU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD237 BD237STU

描述 STMICROELECTRONICS  BD237  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BD237STU  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 25 hFE

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

针脚数 3 3

极性 NPN NPN

耗散功率 25 W 25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

直流电流增益(hFE) 40 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

频率 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) 100 V 80.0 V

额定电流 2.00 A 2.00 A

额定功率 25 W -

增益频宽积 3 MHz -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 25 @1A, 2V

额定功率(Max) 25 W 25 W

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 25000 mW 25000 mW

集电极最大允许电流 - 2A

封装 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.8 mm 8 mm

宽度 2.7 mm 3.25 mm

高度 10.8 mm 11.2 mm

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15

含铅标准 Lead Free Lead Free

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

ECCN代码 EAR99 EAR99