频率 3 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 2.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 25 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 25 @1A, 2V
额定功率Max 25 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 25000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11.2 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BD237STU | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD237STU 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 25 hFE | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BD237STU 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-126 NPN 80V 2A 25000mW | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BD237STU 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 25 hFE | 当前型号 | |
型号: 2N4923G 品牌: 安森美 封装: TO-225-3 NPN 80V 1A 30000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR 2N4923G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE | BD237STU和2N4923G的区别 | |
型号: BD237G 品牌: 安森美 封装: TO-225 NPN 80V 2A 25000mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BD237G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 3 hFE | BD237STU和BD237G的区别 | |
型号: BD237 品牌: 意法半导体 封装: SOT32 NPN 100V 2A 25000mW | 功能相似 | STMICROELECTRONICS BD237 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 3 MHz, 25 W, 2 A, 40 hFE | BD237STU和BD237的区别 |