IRF9953PBF、SI4943BDY-T1-E3、IRF7504TRPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF9953PBF SI4943BDY-T1-E3 IRF7504TRPBF

描述 Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 8Pin SOIC Tube双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETINFINEON  IRF7504TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -1.7 A, -20 V, 0.27 ohm, -4.5 V, -700 mV 新

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 Micro-8

额定电压(DC) -30.0 V - -

额定电流 -2.30 A - -

漏源极电阻 250 mΩ 19 mΩ 0.27 Ω

极性 P-Channel Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 2 W 2 W 1.25 W

产品系列 IRF9953 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 -30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) -2.30 A -8.40 A 1.7A

上升时间 14.0 ns 10 ns -

输入电容(Ciss) 190pF @15V(Vds) - 240pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.1 W 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

反向恢复时间 - 55 ns -

正向电压(Max) - 1.2 V -

下降时间 - 60 ns -

工作结温 - -55℃ ~ 150℃ -

耗散功率(Max) - 2000 mW 1.25 W

额定功率 - - 1.25 W

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 700 mV

封装 SOIC-8 SOIC-8 Micro-8

长度 - - 3 mm

宽度 - - 3 mm

高度 - - 0.86 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17