IRF9953PBF
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International Rectifier
国际整流器
分立器件
IRF9953PBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -2.30 A
漏源极电阻 250 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
产品系列 IRF9953
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 -30.0 V
连续漏极电流Ids -2.30 A
上升时间 14.0 ns
输入电容Ciss 190pF @15VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
IRF9953PBF引脚图与封装图
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在线购买IRF9953PBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF9953PBF | International Rectifier 国际整流器 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 8Pin SOIC Tube | 搜索库存 |
替代型号IRF9953PBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9953PBF 品牌： International Rectifier 国际整流器 封装： SOIC P-Channel -30V -2.3A | 当前型号 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.3A 8Pin SOIC Tube | 当前型号 |
| 型号： SI4943BDY-T1-E3 品牌： 威世 封装： 8-SOIC Dual P-Channel 20V 8.4A 19mΩ | 功能相似 | 双P通道20 - V（D -S）的MOSFET Dual P-Channel 20-V D-S MOSFET | IRF9953PBF和SI4943BDY-T1-E3的区别 |