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1N747A、BZM55C10-TR3、BZT52C24对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N747A BZM55C10-TR3 BZT52C24

描述 NTE ELECTRONICS 1N747A ZENER DIODE 3.6V 0.5W(1/2W) 5% DO-35 CASE小信号齐纳二极管 Small Signal Zener DiodesDiode Zener Single 24V 6% 0.5W(1/2W) 2Pin SOD-123

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 分立器件齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - DO-213AB-2 -

正向电压 - 1.2V @200mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 10 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 1.9 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1.15 mm -

封装 - DO-213AB-2 -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - 无铅 -