BZM55C10-TR3中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.2V @200mA
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 10 V
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-213AB-2
外形尺寸
长度 1.9 mm
宽度 1.35 mm
高度 1.15 mm
封装 DO-213AB-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BZM55C10-TR3引脚图与封装图
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在线购买BZM55C10-TR3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZM55C10-TR3 | Vishay Semiconductor 威世 | 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes | 搜索库存 |
替代型号BZM55C10-TR3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZM55C10-TR3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： 2-SMD | 当前型号 | 小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes | 当前型号 |
| 型号： BZV55C13 品牌： EIC 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 13V VZ, 5%, 0.5W, | BZM55C10-TR3和BZV55C13的区别 |
| 型号： BZV55C15 品牌： EIC 封装： | 功能相似 | Zener Diode, 15V VZ, 5%, 0.5W, | BZM55C10-TR3和BZV55C15的区别 |
| 型号： 1N747A 品牌： NTE Electronics 封装： | 功能相似 | NTE ELECTRONICS 1N747A ZENER DIODE 3.6V 0.5W1/2W 5% DO-35 CASE | BZM55C10-TR3和1N747A的区别 |