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CA5260MZ、TLC2272IDR、CA5260M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CA5260MZ TLC2272IDR CA5260M

描述 CA5260,双 3MHz,BiMOS 微处理器运算放大器,带 MOSFET 输入/CMOS 输出,IntersilMOSFET 输入阶段提供高输入抗阻和低输入电流 非常适合单电源应用 共模输入电压范围包括负电源供电轨 ### 运算放大器,IntersilIntersil 运算放大器为行业内的高性能放大器 IC。LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments3MHz的,采用BiMOS微处理器与MOSFET的输入运算放大器/ CMOS输出 3MHz, BiMOS Microprocessor Operational Amplifiers with MOSFET Input/CMOS Output

数据手册 ---

制造商 Intersil (英特矽尔) TI (德州仪器) Intersil (英特矽尔)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 - 4.4V ~ 16V -

输出电流 2.2mA @15V ≤50 mA -

供电电流 9 mA 2.4 mA 9 mA

电路数 2 2 2

通道数 - 2 -

针脚数 - 8 -

共模抑制比 50 dB 70 dB -

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K -

带宽 3 MHz 2.25 MHz 3.00 MHz

转换速率 5.00 V/μs 3.60 V/μs 5.00 V/μs

增益频宽积 3 MHz 2.18 MHz 3 MHz

过温保护 - No -

输入补偿电压 6 mV 300 µV 6 mV

输入偏置电流 5 pA 1 pA 5 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -

增益带宽 3 MHz 2.18 MHz -

共模抑制比(Min) 50 dB 70 dB -

电源电压 4.5V ~ 16V 4.4V ~ 16V -

电源电压(DC) 16.0 V - -

电源电压(Max) 16 V - -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 4 mm 3.91 mm -

高度 1.5 mm 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

香港进出口证 - NLR -