IPG20N06S2L-35、IPG20N06S3L-35对比区别

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型号 IPG20N06S2L-35 IPG20N06S3L-35

描述 INFINEON  IPG20N06S2L-35  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TDSON-8 PG-TDSON-8-4

引脚数 8 -

极性 Dual N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20A

输入电容(Ciss) 610pF @25V(Vds) 1730pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 30 W

通道数 2 -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.028 Ω -

耗散功率 65 W -

阈值电压 1.6 V -

上升时间 5 ns -

下降时间 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 65 W -

封装 TDSON-8 PG-TDSON-8-4

长度 5.15 mm -

宽度 5.9 mm -

高度 1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -