IPG20N06S3L-35
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPG20N06S3L-35中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 20A
输入电容Ciss 1730pF @25VVds
额定功率Max 30 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8-4
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPG20N06S3L-35引脚图与封装图
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在线购买IPG20N06S3L-35
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPG20N06S3L-35 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPG20N06S3L-35
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： IPG20N06S3L-35 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-PowerVDFN N-CH 55V 20A | 当前型号 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPG20N06S2L-35 品牌： 英飞凌 封装： TDSON-8 Dual N-Channel 55V 20A | 功能相似 | INFINEON IPG20N06S2L-35 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 55 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.6 V | IPG20N06S3L-35和IPG20N06S2L-35的区别 |