IRGSL30B60K、IRGSL30B60KPBF对比区别

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型号 IRGSL30B60K IRGSL30B60KPBF

描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-262, PLASTIC PACKAGE-3Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

封装 TO-262 TO-262-3

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-262 TO-262-3

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

耗散功率 - 370000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V

额定功率(Max) - 370 W

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 370000 mW

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99