IRGSL30B60KPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRGSL30B60KPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 370000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 370 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 370000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRGSL30B60KPBF引脚图与封装图
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在线购买IRGSL30B60KPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRGSL30B60KPBF | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin3+Tab TO-262 Tube | 搜索库存 |
替代型号IRGSL30B60KPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRGSL30B60KPBF 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-262 370000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 78A 370000mW 3Pin3+Tab TO-262 Tube | 当前型号 |
| 型号： IRGSL30B60K 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A IC, 600V VBRCES, N-Channel, TO-262, PLASTIC PACKAGE-3 | IRGSL30B60KPBF和IRGSL30B60K的区别 |