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VMMK-1225-BLKG、VMMK-1225-TR1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VMMK-1225-BLKG VMMK-1225-TR1G

描述 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHzTrans JFET 5V 50mA 3Pin SMD T/R

数据手册 --

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科)

分类 晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 0402 0402

引脚数 3 -

封装(公制) - -

耗散功率 250 mW 250 mW

漏源击穿电压 - 5 V

栅源击穿电压 - ±5 V

增益 11 dB 11 dB

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

频率 12 GHz -

额定电流 50 mA -

漏源极电压(Vds) 5 V -

输出功率 8 dBm -

测试电流 20 mA -

额定电压 - -

封装 0402 0402

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装(公制) - -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

军工级 - -

REACH SVHC版本 - -

REACH SVHC标准 No SVHC -