VMMK-1225-TR1G
AVAGO Technologies
安华高科
分立器件
VMMK-1225-TR1G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250 mW
漏源击穿电压 5 V
栅源击穿电压 ±5 V
增益 11 dB
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 0402
外形尺寸
封装 0402
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
VMMK-1225-TR1G引脚图与封装图
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在线购买VMMK-1225-TR1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| VMMK-1225-TR1G | AVAGO Technologies 安华高科 | Trans JFET 5V 50mA 3Pin SMD T/R | 搜索库存 |
替代型号VMMK-1225-TR1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： VMMK-1225-TR1G 品牌： AVAGO Technologies 安华高科 封装： WLP | 当前型号 | Trans JFET 5V 50mA 3Pin SMD T/R | 当前型号 |
| 型号： VMMK-1225-BLKG 品牌： 安华高科 封装： 1 250mW | 完全替代 | 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 LNA FET in Microcap DC-18GHz | VMMK-1225-TR1G和VMMK-1225-BLKG的区别 |