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BC808-16、MMBTA55LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC808-16 MMBTA55LT1G

描述 BC808-16 PNP三极管 -30V -500mA/-0.5A 80MHz 100~250 -700mV/-0.7V SOT-23/SC-59 marking/标记 5E 开关/放大ON SEMICONDUCTOR  MMBTA55LT1G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 50 MHz, 225 mW, -500 mA, 100 hFE

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23 SOT-23-3

频率 - 50 MHz

额定电压(DC) - -60.0 V

额定电流 - -500 mA

针脚数 - 3

极性 - PNP

耗散功率 - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V

集电极最大允许电流 - 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) - 225 mW

直流电流增益(hFE) - 100

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

增益频宽积 - -

长度 - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1.01 mm

封装 SOT-23 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99