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BZV55C11、BZV55-C11,135、TZMC11对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55C11 BZV55-C11,135 TZMC11

描述 MMELF, 0.5W(1/2W), 5%, Small Signal Zener DiodeMini-MELF 11V 0.5W(1/2W)硅外延平面的Z-二极管 Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - Mini-MELF MELF

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 500 mW -

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 11 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

耗散功率(Max) - 500 mW -

封装 - Mini-MELF MELF

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 7.4 mV/K -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -