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2SD1803、DXT2010P5-13对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD1803 DXT2010P5-13

描述 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon TransistorsDXT2010 系列 NPN 60 V 6 A 表面贴装 双极性 晶体管 - PowerDI-5

数据手册 --

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

封装 - POWERDI-5

频率 - 130 MHz

针脚数 - 3

极性 - NPN

耗散功率 - 3.2 W

增益频宽积 - 130 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V

集电极最大允许电流 - 6A

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @2A, 1V

额定功率(Max) - 3.2 W

直流电流增益(hFE) - 200

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 3200 mW

最大电流放大倍数(hFE) - -

封装 - POWERDI-5

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

最小包装 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

军工级 - Yes

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99