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DXT2010P5-13

DXT2010P5-13

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Diodes(美台) 分立器件

DXT2010 系列 NPN 60 V 6 A 表面贴装 双极性 晶体管 - PowerDI-5

If you require a general purpose BJT that can handle high voltages, then the NPN BJT, developed by Zetex, is for you. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 7 V. Its maximum power dissipation is 3200 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 7 V.

DXT2010P5-13中文资料参数规格
技术参数

频率 130 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 3.2 W

增益频宽积 130 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 1V

额定功率Max 3.2 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 POWERDI-5

外形尺寸

封装 POWERDI-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 国防, 军用与航空, 电源管理, 电机驱动与控制

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

军工级 Yes

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

DXT2010P5-13引脚图与封装图
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在线购买DXT2010P5-13
型号 制造商 描述 购买
DXT2010P5-13 Diodes 美台 DXT2010 系列 NPN 60 V 6 A 表面贴装 双极性 晶体管 - PowerDI-5 搜索库存
替代型号DXT2010P5-13
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： DXT2010P5-13

品牌： Diodes 美台

封装： PowerDI NPN 3200mW

当前型号

DXT2010 系列 NPN 60 V 6 A 表面贴装 双极性 晶体管 - PowerDI-5

当前型号

型号： 2SD1803

品牌： 三洋

封装：

功能相似

PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

DXT2010P5-13和2SD1803的区别

型号： 2SD1803S

品牌： 三洋

封装：

功能相似

Small Signal Bipolar Transistor, 5A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, NPN, Silicon

DXT2010P5-13和2SD1803S的区别

型号： 2SD1805

品牌： 三洋

封装：

功能相似

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications

DXT2010P5-13和2SD1805的区别