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OPA2830IDG4、OPA2830IDRG4、OPA2830IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA2830IDG4 OPA2830IDRG4 OPA2830IDR

描述 OP Amp Dual Volt Fdbk R-R O/P ±5.5V/11V 8Pin SOIC Tube高速运算放大器 Dual Lo-Pwe Single Supply Wideband双路,低功耗,单电源宽带运算放大器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 75mA @5V 75mA @5V 75mA @5V

供电电流 8.5 mA 8.5 mA 8.5 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 76 dB 76 dB 76 dB

输入补偿漂移 27.0 µV/K 27.0 µV/K 27.0 µV/K

带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

转换速率 560 V/μs 560 V/μs 560 V/μs

增益频宽积 100 MHz 100 MHz 100 MHz

输入补偿电压 1.5 mV 5.5 mV 1.5 mV

输入偏置电流 5 µA 10000 nA 5 µA

可用通道 S, D S, D S, D

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 290 MHz 290 MHz 290 MHz

共模抑制比(Min) 76 dB 76 dB 76 dB

电源电压(Max) 11 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

电容 - - 22 PF

增益带宽 - - 100 MHz

电源电压 - - 2.8V ~ 11V

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.5 mm 1 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free