NTD20N06LT4G、STD20NF06T4、FQD20N06TM对比区别

高亮显示差异参数

型号 NTD20N06LT4G STD20NF06T4 FQD20N06TM

描述 ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06LT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAKSTMICROELECTRONICS  STD20NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD20N06TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 20.0 A 24.0 A 16.8 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.039 Ω 0.032 Ω 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 60 W 60 W 38 W

阈值电压 1.6 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 A, 20.0 mA 24.0 A 16.8 A

上升时间 98 ns 30 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 990pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.36 W 60 W 2.5 W

下降时间 62 ns 8 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.36 W 60W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)

额定功率 60 W 60 W -

通道数 1 - -

输入电容 7.7pF @25V - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.1 mm

高度 2.38 mm 2.4 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99