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SN65LVDS16DRFR、SN65LVDS16DRFT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SN65LVDS16DRFR SN65LVDS16DRFT

描述 2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS2.5 V / 3.3 V振荡器增益级/缓冲区 2.5-V/3.3-V OSCILLATOR GAIN STAGE/BUFFERS

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 接口芯片接口芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 WFDFN-8 WSON-8

电源电压(DC) 2.50 V, 3.30 V 2.50 V, 3.30 V

供电电流 48 mA 40 mA

通道数 1 1

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.375V ~ 3.6V 2.375V ~ 3.6V

输出电流 - 400 µA

耗散功率 - 834 mW

耗散功率(Max) - 834 mW

长度 2 mm -

宽度 2 mm -

高度 0.53 mm -

封装 WFDFN-8 WSON-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99