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MT47H128M16RT-25EIT:C、MT47H128M16RT-187E:C、MT47H128M16RT-25E:C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H128M16RT-25EIT:C MT47H128M16RT-187E:C MT47H128M16RT-25E:C

描述 DDR DRAM, 128MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 9 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84DDR DRAM, 128MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 9 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84MICRON  MT47H128M16RT-25E:C  芯片, 存储器, SDRAM, DDR2. 2GB, 84FBGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 84 84 84

封装 FBGA TFBGA-84 FBGA-84

工作电压 1.80 V 1.80 V 1.80 V

供电电流 - - 190 mA

针脚数 - - 84

时钟频率 - - 400 MHz

位数 - 16 16

存取时间 - - 2.5 ns

存取时间(Max) - 0.35 ns 0.4 ns

工作温度(Max) - 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

封装 FBGA TFBGA-84 FBGA-84

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99