MT47H128M16RT-25E:C

MICRON  MT47H128M16RT-25E:C  芯片, 存储器, SDRAM, DDR2. 2GB, 84FBGA

是一款DDR2 SDRAM, 采用双倍数据速率架构实现高速运行. 双数据速率结构本质上是一种4n预取体系结构, 其接口设计用于在I/O球每个时钟周期传输两个数据字. DDR2 SDRAM的单READ或WRITE操作包含单4n-位宽双时钟周期数据传输在内部DRAM核心, 以及四个相应的n位宽半时钟周期数据传输在I/O球. 双向数据选通 DQS, DQS＃与数据一起在外部传输, 用于接收器的数据捕获. DQS是选通信号,在READ过程中由DDR2 SDRAM传输, 在WRITE过程中由存储器控制器传输. DQS与READ数据边缘对齐, 与WRITE数据中心对齐. x16产品有两个数据选通, 一个用于低字节 LDQS, LDQS＃, 另一个用于高字节 UDQS, UDQS＃.

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VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V

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JEDEC标准1.8V I/O 与SSTL_18兼容

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差分数据选通 DQS, DQS＃选项

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4n位预取架构

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重复输出选通 RDQS选项, 用于x8

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DLL与DQ对齐以及DQS转换带CK

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8 内部存储单元, 并行操作

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可编程CAS延迟 CL

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Posted CAS Additive Latency AL

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WRITE延迟=READ延迟 - 1 tCK

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4或8种可编程突发长度

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可调数据输出驱动强度

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64ms, 8192周期刷新

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片上终端 ODT

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支持JEDEC时钟抖动规范