VNQ860SP-E、VNQ860SPTR-E对比区别

高亮显示差异参数

型号 VNQ860SP-E VNQ860SPTR-E

描述 STMICROELECTRONICS  VNQ860SP-E  驱动器, MOSFET, 高压侧, 5.5V-36V电源, 250mA输出, 40µs延迟, SOIC-10VNQ860SP-E 系列 36 V 四通道 高压侧 驱动器 - PowerSO

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 10 12

封装 SOIC-10 PowerSO-10

电源电压(DC) 5.50V (min) -

输出接口数 4 4

输出电流 1.1 A 250 mA

供电电流 0.07 mA 0.07 mA

针脚数 10 -

耗散功率 90000 mW 90 W

输出电流(Max) 250 mA 250 mA

输出电流(Min) 0.25 A -

输入数 4 4

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 90000 mW 90000 mW

电源电压(Max) 36 V 36 V

电源电压(Min) 5.5 V 5.5 V

电源电压 - 5.5V ~ 36V

长度 9.5 mm -

宽度 7.6 mm -

高度 3.65 mm -

封装 SOIC-10 PowerSO-10

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99