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VNQ860SP-E

VNQ860SP-E

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  VNQ860SP-E  驱动器, MOSFET, 高压侧, 5.5V-36V电源, 250mA输出, 40µs延迟, SOIC-10

智能高侧电源开关,STMicroelectronics

智能电源开关 IPS 将控制截面的逻辑接口、驱动器、诊断和保护功能与高侧和高侧配置的功率级集成。

### 智能电源开关,STMicroelectronics


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10


欧时:
VNQ860SP-E,Driver,quad,high side 0.25A


立创商城:
VNQ860SP E


贸泽:
Gate Drivers Quad Channel High


e络盟:
驱动器, MOSFET, 高压侧, 5.5V-36V电源, 250mA输出, 40µs延迟, SOIC-10


艾睿:
Current Limit SW 4-IN 4-OUT to 1.1A 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube


安富利:
Power Switch Hi Side 0.25A 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube


富昌:
VNQ860SP-E Series 36 V 250 mA Quad Channel High Side Driver - PowerSO-10


Chip1Stop:
Power Switch Hi Side 0.25A 10-Pin10+2Tab PowerSO Tube


TME:
Driver; high-side switch; 250mA; 90W; Channels:4; PowerSO10


Verical:
Power Switch Hi Side 4-OUT 0.25A 0.27Ohm 12-Pin10+2Tab PowerSO Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  VNQ860SP-E  DRIVER, HIGH SIDE QUAD, POWERSOIC10


VNQ860SP-E中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.50V min

输出接口数 4

输出电流 1.1 A

供电电流 0.07 mA

针脚数 10

耗散功率 90000 mW

输出电流Max 250 mA

输出电流Min 0.25 A

输入数 4

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 90000 mW

电源电压Max 36 V

电源电压Min 5.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 SOIC-10

外形尺寸

长度 9.5 mm

宽度 7.6 mm

高度 3.65 mm

封装 SOIC-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

VNQ860SP-E引脚图与封装图
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在线购买VNQ860SP-E
型号 制造商 描述 购买
VNQ860SP-E ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  VNQ860SP-E  驱动器, MOSFET, 高压侧, 5.5V-36V电源, 250mA输出, 40µs延迟, SOIC-10 搜索库存
替代型号VNQ860SP-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: VNQ860SP-E

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: PowerSO-10 5.5V 250mA 10Pin

当前型号

STMICROELECTRONICS  VNQ860SP-E  驱动器, MOSFET, 高压侧, 5.5V-36V电源, 250mA输出, 40µs延迟, SOIC-10

当前型号

型号: VNQ860SPTR-E

品牌: 意法半导体

封装: SO-10

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VNQ860SP-E和VNQ860SPTR-E的区别