TS321ID、TS321IDT、TS321IDR对比区别

高亮显示差异参数

型号 TS321ID TS321IDT TS321IDR

描述 低功耗单路运算放大器 LOW-POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER低功耗单路运算放大器 Low power single operational amplifier低功耗单路运算放大器 LOW-POWER SINGLE OPERATIONAL AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 600 µA 600 µA 600 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 0.00 V/K - 0.00 V/K

带宽 800 kHz - 800 kHz

转换速率 400 mV/μs 400 mV/μs 400 mV/μs

增益频宽积 800 kHz 800 kHz 800 kHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.8 MHz - 0.8 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

输出电流 40mA @15V 40mA @15V -

电源电压(Max) 30 V 30 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

高度 1.58 mm 1.65 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.91 mm 4 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free