BC817-25LT1、BC817-25LT3G、BC817-25LT1G对比区别
型号 BC817-25LT1 BC817-25LT3G BC817-25LT1G
描述 通用晶体管（ NPN硅） General Purpose Transistors(NPN Silicon)NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR BC817-25LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 - 100 MHz 100 MHz
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
针脚数 - 3 3
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 225 mW 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 300 mW
直流电流增益(hFE) - 40 100
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
额定电流 500 mA - 500 mA
额定功率 - - 300 mW
额定电压(DC) 45.0 V - -
长度 - 2.9 mm 2.9 mm
宽度 - 1.3 mm 1.3 mm
高度 - 0.94 mm 0.94 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99