MJD32CRL、MJD32CRLG、NJVMJD32CT4G对比区别

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型号 MJD32CRL MJD32CRLG NJVMJD32CT4G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsPNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管PNP 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 3 MHz 3 MHz

针脚数 - - 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 15 W 15 W

增益频宽积 - - 3 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 25

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

直流电流增益(hFE) - 10 10

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1560 mW 1560 mW

额定电压(DC) -100 V -100 V -

额定电流 -3.00 A -3.00 A -

最大电流放大倍数(hFE) - 50 -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99