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IRFIZ14G、IRFIZ14GPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFIZ14G IRFIZ14GPBF

描述 MOSFET N-CH 60V 8A TO220FPMOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 -

耗散功率 27W (Tc) 27000 mW

漏源极电压(Vds) 60 V -

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 27W (Tc) 27W (Tc)

上升时间 - 50 ns

下降时间 - 19 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

宽度 4.83 mm 4.7 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.41 mm

高度 - 15.49 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free