PUMD9,115、UMD9NTR、MUN5314DW1T1G对比区别

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型号 PUMD9,115 UMD9NTR MUN5314DW1T1G

描述 NXP  PUMD9,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363NPN+PNP 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.ON SEMICONDUCTOR  MUN5314DW1T1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-363

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSSOP-6 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) - - 50.0 V

额定电流 - 70.0 mA 100 mA

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN, PNP

耗散功率 200 mW 0.15 W 187 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 100 @5mA, 5V 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 300 mW 150 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 385 mW

额定功率 - 0.15 W -

通道数 - 2 -

增益带宽 - 250 MHz -

针脚数 6 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

长度 2.2 mm 2.1 mm 2 mm

宽度 1.35 mm 1.35 mm 1.25 mm

高度 1 mm 0.9 mm 0.9 mm

封装 TSSOP-6 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -