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IRLMS2002、IRLMS2002TR、IRLMS2002TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLMS2002 IRLMS2002TR IRLMS2002TRPBF

描述 TSOP N-CH 20V 6.5ATSOP N-CH 20V 6.5AINFINEON  IRLMS2002TRPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 2W, 6-TSOP

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 6.50 A -

漏源极电阻 - 30.0 mΩ (max) 30 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 2W (Ta) 2W (Ta) 2 W

产品系列 - IRLMS2002 -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20.0V (min) 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.5A 6.50 A 6.5A

上升时间 - 11 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1310pF @15V(Vds) 1310pF @15V(Vds) 1310pF @15V(Vds)

下降时间 - 16 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)

额定功率 - - 2 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 6

阈值电压 - - 1.2 V

输入电容 - - 1310 pF

额定功率(Max) - - 2 W

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.75 mm

高度 - - 1.3 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free