IRLMS2002TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRLMS2002TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 6.50 A
漏源极电阻 30.0 mΩ max
极性 N-Channel
耗散功率 2W Ta
产品系列 IRLMS2002
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20.0V min
连续漏极电流Ids 6.50 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1310pF @15VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
外形尺寸
封装 SOT-23-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRLMS2002TR引脚图与封装图
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在线购买IRLMS2002TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLMS2002TR | Infineon 英飞凌 | TSOP N-CH 20V 6.5A | 搜索库存 |
替代型号IRLMS2002TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRLMS2002TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TSOP N-Channel 20V 6.5A 30mΩ | 当前型号 | TSOP N-CH 20V 6.5A | 当前型号 |
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| 型号： IRLMS2002 品牌： 英飞凌 封装： TSOP N-CH 20V 6.5A | 类似代替 | TSOP N-CH 20V 6.5A | IRLMS2002TR和IRLMS2002的区别 |
| 型号： IRLMS2002PBF 品牌： 英飞凌 封装： µSOIC N-CH 20V 6.5A | 功能相似 | INFINEON IRLMS2002PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 V | IRLMS2002TR和IRLMS2002PBF的区别 |