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TLV2341IDR、TLV2341IDRG4、TLV2341ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2341IDR TLV2341IDRG4 TLV2341ID

描述 LinCMOS(TM) Programmable Low-Voltage Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃Op Amp Single GP 8V 8Pin SOIC T/RLinCMOSE可编程低电压运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 PDIP SOIC-8

供电电流 675 µA - 675 µA

电路数 1 - 1

通道数 1 1 1

耗散功率 0.725 W - 0.725 W

共模抑制比 65 dB - 65 dB

输入补偿漂移 2.70 µV/K 2.70 µV/K 2.70 µV/K

带宽 790 kHz 790 kHz 790 kHz

转换速率 3.60 V/μs 2.10 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 790 kHz 1.7 MHz

输入补偿电压 8 mV - 1.1 mV

输入偏置电流 0.6 pA - 0.6 pA

增益带宽 - - 1.7 MHz

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

输出电流 ≤30 mA - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 SOIC-8 PDIP SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free