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JANS1N6320、BZX79-C6V8,133、1N5235B-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS1N6320 BZX79-C6V8,133 1N5235B-TR

描述 500mW的齐纳二极管 500mW ZENER DIODESALF 6.8V 0.5W(1/2W)齐纳二极管 500mW,1N52xx 系列,Vishay Semiconductor### 齐纳二极管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦) VISHAY (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

容差 ±5 % ±5 % ±5 %

正向电压 1.4V @1A 900mV @10mA 1.1V @200mA

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

测试电流 20 mA 5 mA 20 mA

稳压值 6.8 V 6.8 V 6.8 V

正向电压(Max) - 900mV @10mA 1.1V @200mA

额定功率(Max) 500 mW 400 mW 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ 200 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

击穿电压 - - 6.80 V

稳压电流 - - 20 mA

耗散功率(Max) - - 500 mW

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

长度 5.08 mm - 3.9 mm

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 3 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 10000

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free