IRFR13N15DPBF、STD6NF10T4、IRFR13N15DTRPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFR13N15DPBF STD6NF10T4 IRFR13N15DTRPBF

描述 N沟道 150V 14ASTMICROELECTRONICS  STD6NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 100 V, 220 mohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 150 V, 0.18 ohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 6.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.22 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 86 W 30 W 86 W

阈值电压 - 4 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 150 V 100 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 3.00 A 14A

上升时间 - 10 ns 26 ns

输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 86 W 30 W -

下降时间 - 3 ns 11 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 30W (Tc) 86W (Tc)

产品系列 IRFR13N15D - -

额定功率 - - 86 W

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -