LM258ADT、LM258DR、LM258AD对比区别

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型号 LM258ADT LM258DR LM258AD

描述 LM158，LM258，LM358，低功率双路运算放大器，具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下，输入共模电压范围包含接地，且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益：100 dB 宽带宽（单位增益）：1.1 MHz ### 运算放大器，STMicroelectronicsTEXAS INSTRUMENTS  LM258DR.  运算放大器, 双路, 700 kHz, 2个放大器, 0.3 V/µs, ± 1.5V 至 ± 16V, SOIC, 8 引脚低功耗双运算放大器 Low Power Dual Operational Amplifiers

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 60 mA 30mA @15V 40mA @15V

供电电流 700 µA 1 mA 700 µA

电路数 2 2 2

共模抑制比 70 dB 70 dB 70 dB

转换速率 600 mV/μs 300 mV/μs 300 mV/μs

增益频宽积 1.1 MHz 700 kHz 1.1 MHz

输入补偿电压 1 mV 3 mV 1 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -25 ℃ -40 ℃

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

工作电压 - 3V ~ 30V -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

输入补偿漂移 - 7.00 µV/K -

带宽 1.1 MHz 700 kHz -

增益带宽 1.1 MHz 700 kHz -

电源电压(Max) 30 V 32 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

电源电压(DC) 32.0 V - -

耗散功率 500 mW - -

电源电压 3V ~ 30V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.91 mm -

高度 1.65 mm 1.58 mm -

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -25℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2017/07/07 -

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 EAR99 - -