MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C、MT29F32G08AECCBH1-10:C、MT29F32G08AECCBH1-10Z:C对比区别

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型号 MT29F32G08AECCBH1-10ITZ:C MT29F32G08AECCBH1-10:C MT29F32G08AECCBH1-10Z:C

描述 SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGASLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 32G-bit 4G x 8 100Pin VBGASLC NAND Flash Parallel 3.3V 32Gbit 4G x 8Bit 20ns 100Pin V-BGA

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片

引脚数 100 - 100

封装 VFBGA-100 VBGA VBGA-100

安装方式 - Surface Mount -

工作电压 3.30 V 3.30 V 3.30 V

位数 8 - -

内存容量 4000000000 B 4000000000 B 4000000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - - 50 mA

封装 VFBGA-100 VBGA VBGA-100

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅