MJ11033、MJ11033G对比区别
型号 MJ11033 MJ11033G
描述 高电流互补硅功率晶体管 High−Current Complementary Silicon Power TransistorsON SEMICONDUCTOR MJ11033G. 达林顿双极晶体管
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 2 2
封装 TO-204-2 TO-204-2
额定电压(DC) -120 V -120 V
额定电流 -50.0 A 50.0 A
输出电压 - 120 V
输出电流 - 50 A
针脚数 - 2
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 0.3 W 300 W
击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V
集电极最大允许电流 50A 50A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @25A, 5V
最大电流放大倍数(hFE) 18000 18000
额定功率(Max) - 300 W
直流电流增益(hFE) - 18000
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300 W
输入电压 - 5 V
长度 - 38.86 mm
宽度 - 26.67 mm
高度 - 8.51 mm
封装 TO-204-2 TO-204-2
工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tray Tray
最小包装 100 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2016/06/20
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99