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IPB65R190C7ATMA1

IPB65R190C7ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C7 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R190C7ATMA1, 13 A, Vds=700 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


得捷:
MOSFET N-CH TO263-3


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 650 V, 13 A, 0.168 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 13A 3-Pin D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13A; 72W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB65R190C7ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 72 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.168 Ω

极性 N-CH

耗散功率 72 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1150pF @400VVds

下降时间 9 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 72 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPB65R190C7ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB65R190C7ATMA1 Infineon 英飞凌 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 搜索库存
替代型号IPB65R190C7ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB65R190C7ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-3 N-CH 650V 13A

当前型号

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

当前型号

型号: IPB65R190C7ATMA2

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 650 V, 0.168 ohm, 10 V, 3.5 V

IPB65R190C7ATMA1和IPB65R190C7ATMA2的区别