PMD9002D、PMD9002D,115对比区别

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型号 PMD9002D PMD9002D,115

描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsPMD9002D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 6针 TSOP封装

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 TSOP TSOP-457

极性 NPN, PNP NPN

耗散功率 290 mW 0.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 400 mW

额定电压 - 50 V

封装 TSOP TSOP-457

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -