PMD9002D,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
PMD9002D,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
额定电压 50 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOP-457
外形尺寸
封装 TSOP-457
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 MOSFET 驱动器
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PMD9002D,115引脚图与封装图
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在线购买PMD9002D,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMD9002D,115 | NXP 恩智浦 | PMD9002D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 6针 TSOP封装 | 搜索库存 |
替代型号PMD9002D,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMD9002D,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-457 NPN | 当前型号 | PMD9002D,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 6针 TSOP封装 | 当前型号 |
| 型号： PMD9002D 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat BISS transistors | PMD9002D,115和PMD9002D的区别 |