PMV213SN、SI2328DS-T1-E3、IRLML0100TRPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 PMV213SN SI2328DS-T1-E3 IRLML0100TRPBF

描述 NXP  PMV213SN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 VVISHAY  SI2328DS-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRLML0100TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

额定功率 - - 1.3 W

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.25 Ω 0.25 Ω 0.178 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 730 mW 1.3 W

阈值电压 3 V 4 V 2.5 V

输入电容 - - 290 pF

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 1.90 A 1.50 A, 1.15 A 1.6A

上升时间 - 11 ns 2.1 ns

输入电容(Ciss) - - 290pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1.3 W

下降时间 - 10 ns 3.6 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 0.73 W 1.3W (Ta)

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.4 mm

高度 - 1.02 mm 1.02 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown - Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -