PMV213SN
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NXP
恩智浦
分立器件
PMV213SN中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.25 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 1.90 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PMV213SN引脚图与封装图
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在线购买PMV213SN
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PMV213SN | NXP 恩智浦 | NXP PMV213SN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 V | 搜索库存 |
替代型号PMV213SN
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PMV213SN 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 100V 1.9A | 当前型号 | NXP PMV213SN 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 3 V | 当前型号 |
| 型号： IRLML0100TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23 N-CH 100V 1.6A | 功能相似 | INFINEON IRLML0100TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.6 A, 100 V, 0.178 ohm, 10 V, 2.5 V | PMV213SN和IRLML0100TRPBF的区别 |
| 型号： SI2328DS-T1-E3 品牌： 威世 封装： SOT-23 N-Channel 100V 1.5A 250mohms | 功能相似 | VISHAY SI2328DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 100 V, 250 mohm, 10 V, 4 V | PMV213SN和SI2328DS-T1-E3的区别 |
| 型号： PMV213SN,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236-3 N-Channel 100V 1.9A | 功能相似 | N 通道 MOSFET，1A 至 9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | PMV213SN和PMV213SN,215的区别 |