IRF3710ZS、IRF3710ZSTRLPBF、AUIRF3710ZS对比区别
型号 IRF3710ZS IRF3710ZSTRLPBF AUIRF3710ZS
描述 D2PAK N-CH 100V 59A晶体管, MOSFET, HEXFET®, N沟道, 59 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 VINFINEON AUIRF3710ZS 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
额定功率 - 160 W 160 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 14.0 mΩ 0.014 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 160 W 160 W 160 W
阈值电压 - 4 V 2 V
输入电容 - 2900 pF -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 59A 59A 59A
上升时间 77.0 ns 77 ns 77 ns
输入电容(Ciss) - 2900pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 160 W -
下降时间 - 56 ns 56 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 160W (Tc) 160W (Tc)
通道数 - - 1
产品系列 IRF3710ZS - -
漏源击穿电压 100V (min) - -
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - - 11.3 mm
高度 - - 4.83 mm
材质 - Silicon -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99